三菱IGBT模块

采用第6代IGBT硅片技术，损耗低 二极管采用第6代LPT硅片技术，正向导通压降低 硅片结温可高达175°C 硅片运行温度最高可达150°C 内部集成NTC测温电阻 全系列共享同一封装平台 有条件接受客户定制

采用第6代IGBT硅片技术，损耗低 硅片结温可高达175°C 硅片运行温度最高可达150°C 内部集成NTC测温电阻 封装兼容第五代A/NF系列模块

第6代CSTBTTM硅片技术带来： 杰出的短路鲁棒性 - 降低了栅极电容 - 低VCE(sat) Vs. Eoff 新的紧凑型封装 良好的匹配液体冷却 多孔型端子使得接触阻抗更低，实现更可靠的长期电气连接 端子孔径与安装定位孔径一致 不同高度的DC端子――直接连接层压式母线棒

采用CSTBTTM硅片技术，实现开关速度控制的最优化
饱和压降低于业界同类产品
续流二极管：超高速恢复特性，极低拖尾电流
开关频率可达60kHz
模块内部寄生电感低

采用CSTBTTM硅片技术，实现开关速度控制的最优化 饱和压降低于业界同类产品 续流二极管：超高速恢复特性，极低拖尾电流 开关频率可达30kHz 模块内部寄生电感低