三菱IGBT模块

采用CSTBTTM硅片技术的第6代IGBT 宽的安全工作区，杰出的短路鲁棒性 最优的VCE(sat) Vs. Eoff折衷性能 硅片最高结温可达175°C 新型无焊接Al基板，提供更高的温度循环能力（DTc） 内部硅片分布均匀，Rth(j-c)低 内部封装电感低，Lint<10nH 交流和直流主端子分离，便于直流母排连接 多孔型端子使得接触阻抗更低，实现更可靠的长期电气连接 内部集成NTC用于测量Tc温度 P侧和N侧IGBT单元均有辅助集电极端子

采用最优化CSTBTTM硅片技术 有CIB、7单元、2单元和1单元四种拓扑结构 内部集成NTC测温电阻 全系列共享同一封装平台 耐功率循环和热循环能力强 具有竞争力的性价比 有条件接受客户定制

采用CSTBTTM硅片技术 饱和压降低、短路承受能力强、驱动功率小 比同等级其他沟槽型IGBT电流输出能力高10%，在相同输出电流时ΔT(j-f)低15% 成本优化的封装 内置导热性能优异的氮化铝(AlN)绝缘基层，热阻小 模块内部寄生电感小 功率循环能力显著改善

采用低损耗CSTBTTM硅片技术 LPT结构用于1200V模块，更加适合于并联使用 额定电流定义比市场上同类产品高一个等级 外形尺寸与H系列IGBT完全兼容 内置导热性能优异的氮化铝(AlN)绝缘基层，热阻小 通过调整底板和基板间焊锡的厚度大大改善了温度循环能力ΔTc 高功率循环能力

最新的CSTBTTM硅片技术带来： 杰出的短路鲁棒性 - 降低了栅极电容 - 低VCE(sat) Vs. Eoff 新的紧凑型封装 良好的匹配液体冷却 多孔型端子使得接触阻抗更低，实现更可靠的长期电气连接 端子孔径与安装定位孔径一致 不同高度的DC端子――直接连接层压式母线棒