IGBT模块
- 高速,低导通压降 Tj=175℃ 电流在Tc=80℃ 标称 用于变频器
- 高速,低导通压降 UPS/EPS厂家广泛采用
- 采用CSTBTTM硅片技术,实现开关速度控制的最优化
饱和压降低于业界同类产品
续流二极管:超高速恢复特性,极低拖尾电流
开关频率可达60kHz
模块内部寄生电感低 - 采用CSTBTTM硅片技术,实现开关速度控制的最优化 饱和压降低于业界同类产品 续流二极管:超高速恢复特性,极低拖尾电流 开关频率可达30kHz 模块内部寄生电感低
- 频率5~20KHZ