IGBT模块

采用CSTBTTM硅片技术的第6代IGBT 宽的安全工作区，杰出的短路鲁棒性 最优的VCE(sat) Vs. Eoff折衷性能 硅片最高结温可达175°C 新型无焊接Al基板，提供更高的温度循环能力（DTc） 内部硅片分布均匀，Rth(j-c)低 内部封装电感低，Lint<10nH 交流和直流主端子分离，便于直流母排连接 多孔型端子使得接触阻抗更低，实现更可靠的长期电气连接 内部集成NTC用于测量Tc温度 P侧和N侧IGBT单元均有辅助集电极端子

适用于电焊机行业

适用于UPS行业

适用于通用变频器行业

采用最优化CSTBTTM硅片技术 有CIB、7单元、2单元和1单元四种拓扑结构 内部集成NTC测温电阻 全系列共享同一封装平台 耐功率循环和热循环能力强 具有竞争力的性价比 有条件接受客户定制