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采用CSTBTTM硅片技术 饱和压降低、短路承受能力强、驱动功率小 比同等级其他沟槽型IGBT电流输出能力高10%，在相同输出电流时ΔT(j-f)低15% 成本优化的封装 内置导热性能优异的氮化铝(AlN)绝缘基层，热阻小 模块内部寄生电感小 功率循环能力显著改善

采用低损耗CSTBTTM硅片技术 LPT结构用于1200V模块，更加适合于并联使用 额定电流定义比市场上同类产品高一个等级 外形尺寸与H系列IGBT完全兼容 内置导热性能优异的氮化铝(AlN)绝缘基层，热阻小 通过调整底板和基板间焊锡的厚度大大改善了温度循环能力ΔTc 高功率循环能力